[发明专利]一种电子封装硅铝合金及其制备方法在审
| 申请号： | 201710247130.9 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107058818A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 吴忠政 | 申请（专利权）人： | 黄平县阳光科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C22C21/04 | 分类号： | C22C21/04;C22C1/02;C22C1/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 钱学宇 |
| 地址： | 556000 贵州省黔东南*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子元件封装外壳及其制备方法，涉及电子元件领域。电子元件封装外壳的制备方法包括按照硅原料和铝原料的总质量与含磷变质剂的质量之比为1001～5，将所述硅原料、所述铝原料和所述含磷变质剂混合均匀，得到混合物，在1000～1500℃的温度下，将所述混合物溶为熔体并充分变质后，精炼和沉积制成坯锭，将所述坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。通过使用有机含磷化合物作为含磷变质剂，避免变质剂在促进硅原料变质过程中产生有害气体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 封装 铝合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电子元件封装外壳的制备方法，其特征在于，包括：按照硅原料和铝原料的总质量与含磷变质剂的质量之比为100：1～5，将所述硅原料、所述铝原料和所述含磷变质剂混合均匀，得到混合物，在1000～1500℃的温度下，将所述混合物熔为熔体并充分变质后，精炼和沉积制成坯锭，将所述坯锭在800～1000℃的温度和120～140MPa的压力下热等静压处理1～2h后，压模制得。
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