[发明专利]用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710245015.8 申请日: 2017-04-14
公开(公告)号: CN108735915B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 居宇涵 申请(专利权)人: 上海视涯技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;C23C14/04
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 201206 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于OLED蒸镀的荫罩及其制作方法、OLED面板的制作方法,其中用于OLED蒸镀的荫罩包括:半导体基底,所述半导体基底包括正面和相对的背面,所述半导体基底中具有贯穿正面和背面的凹槽;位于半导体基底正面上的格栅膜层,所述格栅膜层中具有若干呈阵列排布的开口,且所述开口的上部宽度小于下部宽度,所述凹槽暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层。本发明形成的荫罩中格栅膜层中开口的尺寸可以较小并形貌较好,将之用于蒸镀时能形成尺寸较小且形貌较好的发光单元,并且由于开口上部宽度小于下部宽度,在蒸镀过程中能极大的减小阴影效应的影响,提高开口率。
搜索关键词: 用于 oled 及其 制作方法 面板
【主权项】:
1.一种用于OLED蒸镀的荫罩的制作方法,其特征在于,包括:提供第一半导体基底,所述第一半导体基底包括正面和相对的背面;在第一半导体基底的正面上形成格栅膜层;在所述格栅膜层中形成若干呈阵列排布的开口,且所述开口上部宽度大于开口的下部宽度;提供第二半导体基底,所述第二半导体基底包括正面和相对的背面;将第二半导体基底与第一半导体基底键合,第二半导体基底的正面与第一半导体基底正面上的格栅膜层相对;沿第二半导体基底的背面刻蚀去除部分所述第二半导体基底,在第二半导体基底中形成暴露出格栅膜层中的若干开口以及相邻开口之间的格栅膜层的凹槽;去除第一半导体基底,暴露格栅膜层和格栅膜层中的开口。
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