[发明专利]薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在所述基底的表面设置一栅极，在所述栅极远离基底的表面设置一栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述栅极的表面设置一半导体层；在所述半导体层远离栅极绝缘层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，且所述纳米线结构夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间，所述纳米线结构包括至少一纳米线；在所述第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，并使得该凹槽处对应的半导体层的表面暴露，所述纳米线部分暴露并悬空于所述凹槽处，该纳米线的两端均夹于所述第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，所述导电薄膜层具有与所述纳米线对应的纳米级沟道，所述导电薄膜层被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除所述第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。