[发明专利]利用铝作为蚀刻停止层有效
| 申请号： | 201710209246.3 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107425115B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | S·纳拉亚南;N·瓦斯克斯;顾震;王韫宇 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可根据一种制造方法形成一种二端阻变器件(TTRSD)，如非易失性二端存储器器件或易失性二端选择器器件。该方法可包含形成包含铝的蚀刻停止层，而且该方法可包含在蚀刻停止层下及/或蚀刻停止层与TTRSD的上电极之间形成缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 作为 蚀刻 停止 | ||
【主权项】：
一种方法，包含：形成二端阻变器件的层；形成覆盖且接触该二端阻变器件的该层的上电极层的缓冲层；形成包含铝覆盖且接触该缓冲层接触的蚀刻停止层；形成覆盖且接触该蚀刻停止层的顶盖层；以及蚀刻至少一部分的该顶盖层，并且当达到该包含铝的蚀刻停止层时终止该蚀刻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科洛斯巴股份有限公司，未经科洛斯巴股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710209246.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种垂直结构异源电子突触器件及其制备方法
- 下一篇：反击式破碎机
