[发明专利]像素结构

摘要

本发明公开了一种像素结构，包含数据线、栅极线、主动元件、第二有机半导体层与像素电极。栅极线与数据线交错设置。主动元件电性连接数据线与栅极线。主动元件包含源极、漏极、第一有机半导体层与栅极。源极电性连接于数据线。第一有机半导体层覆盖源极与漏极。第一有机半导体层于源极与漏极之间具有通道宽度方向。栅极设置于第一有机半导体层上，并电性连接栅极线。栅极沿着通道宽度方向突出于第一有机半导体层。第二有机半导体层覆盖数据线并连接于第一有机半导体层。像素电极与漏极电性连接。

主权项

1.一种像素结构，其特征在于，包含：一数据线；一栅极线，与该数据线交错设置；一主动元件，电性连接该数据线与该栅极线，该主动元件包含：一漏极；一源极，电性连接于该数据线；一第一有机半导体层，覆盖该源极与该漏极，其中该第一有机半导体层于该源极与该漏极之间具有一通道宽度方向；以及一栅极，设置于该第一有机半导体层上，并电性连接该栅极线，其中该栅极沿着该通道宽度方向突出于该第一有机半导体层；一第二有机半导体层，覆盖该数据线并连接于该第一有机半导体层；以及一像素电极，贯穿该第一有机半导体层与该漏极电性连接；该源极包含至少一条状部，该漏极包含至少一条状部，且该源极的该至少一条状部与该漏极的该至少一条状部之间具有一间隙，且该栅极覆盖该间隙；该栅极与该第一有机半导体层之间具有一堆叠方向，且该栅极包含：二个第一子栅极部；以及一第二子栅极部，连接所述第一子栅极部，其中各该第一子栅极部的宽度大于该第二子栅极部的宽度，所述第一子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部的两端部和该漏极的该条状部的两端部重叠，且该第二子栅极部于该堆叠方向上与该源极的该条状部和该漏极的该条状部部分重叠。