[发明专利]集成电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710197884.8 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107785369B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | M·萨姆比;F·F·R·托亚;M·马彻西;M·莫里利;R·德佩特罗;G·巴里拉罗;L·M·斯特拉姆比尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/861;H01L29/78;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有半导体本体(30)的集成电子器件包括：第一电极区域(32)，该第一电极区域具有第一导电类型；以及第二电极区域(28，34，38)，该第二电极区域具有第二导电类型，该第二电极区域与该第一电极区域形成结。该集成电子器件进一步包括：纳米结构半导体区域(48)，该纳米结构半导体区域在该第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电子器件，所述集成电子器件包括半导体本体(30)，所述集成电子器件包括：‑第一电极区域(32)，所述第一电极区域具有第一导电类型；以及‑第二电极区域(28，34，38)，所述第二电极区域具有第二导电类型，所述第二电极区域与所述第一电极区域形成结；所述集成电子器件进一步包括纳米结构半导体区域(48)，所述纳米结构半导体区域在所述第一和第二电极区域(32；28，34，38)之一中延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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