[发明专利]一种低温真空镀膜方法

摘要

本发明公开了一种低温真空镀膜方法，对基底材料进行清洁；将清洁后的基底材料放入真空蒸发室中，采用惰性气体作为清洁源对基底材料进行再清洁；采用低熔点靶材，在真空度为10^‑5～10^‑4Pa，反应压力为0.4MPa～0.8MPa，反应距离为7cm～10cm，靶材温度为150℃～400℃，蒸发速率为1.2g/m³·s～1.8g/m³·s，基底温度为110℃～150℃的条件下对基底材料进行真空蒸发镀膜处理；采用紫外线对经处理的基底材料进行光固化处理。本发明采用的低温真空镀膜方法在较低温度条件下实现对各种高分子基材进行镀膜，可充分满足实际需求。

主权项

1.一种低温真空镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，对基底材料进行清洁；步骤S1中，所述清洁具体为：先采用去离子水对基底材料进行超声波清洗30min～60min，再采用无水乙醇对经水清洗后的基底材料以0.2m/s～0.5m/s的流速进行冲洗，再进行真空烘干处理，得到清洁后的基底材料；所述真空烘干处理具体为：在压力为0.6MPa～0.9MPa、温度为60℃～70℃的条件下进行烘干4h～8h；步骤S2，将清洁后的基底材料放入真空蒸发室中，采用惰性气体作为清洁源，以1.2m/s～1.8m/s的流速对基底材料进行再清洁；步骤S3，采用低熔点靶材，在真空度为10^‑5Pa～10^‑4Pa，反应压力为0.4MPa～0.8MPa，反应距离为7cm～10cm，靶材温度为150℃～400℃，蒸发速率为1.2g/m³·s～1.8g/m³·s，基底温度为110℃～150℃的条件下对基底材料进行真空蒸发镀膜处理；所述真空蒸发镀膜的时间为：10min～20min；步骤S4，在60℃～80℃的温度条件下，采用紫外线对经步骤S3处理的基底材料进行光固化处理；所述紫外线的工作功率为：1500W～2000W；所述光固化处理的时间为：30min～50min；还包括对经光固化处理的基底材料进行清洁、筛选的步骤。