[发明专利]一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法有效
| 申请号： | 201710187517.X | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106887381B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 聂钰节;昂开渠;唐在峰;任昱;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 吴世华;陈慧弘<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法，包括：在刻蚀腔体内壁上更换涂层部件；对更换的涂层部件的涂层进行微粗糙化处理；对刻蚀腔体内壁的涂层部件进行无晶圆自动干法蚀刻清洗工艺，在此过程中，涂层部件的涂层表面吸附硅氧化合物且达到饱和状态。本发明改善了更换新部件带来的刻蚀腔体环境的漂移，提高刻蚀腔体环境的稳定性，从而改善刻蚀工艺关键尺寸的稳定性，提高晶圆的电学性能和产品的良率，减少报废率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 环境 稳定性 优化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀腔体环境稳定性的优化方法，其特征在于，包括：/n步骤01：在刻蚀腔体内壁上更换涂层部件；所述涂层部件的涂层采用Y2O3涂层；/n步骤02：对更换的涂层部件的涂层进行微粗糙化处理；其中，所述微粗糙化处理具体包括：/n步骤021：在不施加偏压的条件下，采用第一真空压强和含F等离子体集中对位于刻蚀腔体上部的涂层部件进行刻蚀，使得刻蚀腔体上部的涂层部件的涂层表面微粗糙化；/n步骤022：在不施加偏压的条件下，采用第二真空压强和含F等离子体集中对位于刻蚀腔体下部的涂层部件进行刻蚀，使得刻蚀腔体下部的涂层部件的涂层表面微粗糙化；其中，第一真空压强高于第二真空压强；/n步骤023：多次重复循环步骤021~022；/n步骤03：对刻蚀腔体内壁的涂层部件进行无晶圆自动干法蚀刻清洗工艺，在此过程中，涂层部件的涂层表面吸附硅氧化合物且达到饱和状态。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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