[发明专利]一种图案化金属网栅薄膜的制作方法

摘要

本发明图案化金属网栅薄膜的制作方法属于光学透明导电薄膜技术领域；该方法首先在衬底上涂覆网栅掩模液，然后自然干燥网栅掩模液，形成网栅掩模结构，再采用激光烧蚀方法，在网栅掩模结构上熔融图案区域，形成图案化网栅掩模结构，接着在图案化网栅掩模结构上沉积金属层，最后采用丙酮或氯仿溶解去除图案化网栅掩模结构，得到图案化金属网栅薄膜；本发明只需要在形成网栅掩模结构与沉积金属层两个步骤之间，增加采用激光烧蚀方法，在网栅掩模结构上熔融图案区域，形成图案化网栅掩模结构的步骤，即可得到图案化的金属网栅薄膜，因此该方法不仅无需附加材料，降低制作成本，而且不会污染环境，同时降低了工艺复杂性，节省了大量的人力物力。

主权项

1.一种图案化金属网栅薄膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤a、在衬底(11)上采用旋涂法、喷涂法、刮涂法或浸渍提拉法涂覆厚度为1～10μm的网栅掩模液(12)，所述衬底(11)为玻璃、PET、石英、MgF2或ZnS；所述网栅掩模液(12)为水性裂纹漆或水性丙烯酸乳液；步骤b、自然干燥网栅掩模液(12)，形成网栅掩模结构(13)；步骤c、采用激光烧蚀方法，在网栅掩模结构(13)上熔融图案区域(14)，形成图案化网栅掩模结构(15)；具体为：采用波长为1064nm、功率为3～15W、直写速度为0.01m/s～0.5m/s的激光束，在网栅掩模结构表面进行直写，将激光束扫过的网栅掩模结构(13)的区域熔融成图案区域(14)，所述的图案区域(14)为无缝结构；步骤d、在图案化网栅掩模结构(15)上沉积金属层(16)；所述的金属层(16)采用热蒸发方法、磁控溅射方法或电子束蒸发方法沉积在图案化网栅掩模结构(15)上，具有以下两种结构中的任意一种：结构一：厚度大于100nm的单层金属膜，所述单层金属膜为金、银、铜或铝；结构二：三明治夹层结构的金属膜，从下至上依次为厚度小于50nm的桥接层、厚度大于100nm的导电层和厚度大于30nm的保护层；所述的桥接层材料为铬、钛或镍，导电层材料为银、铜或铝，保护层材料为铬或镍；步骤e、采用丙酮或氯仿溶解去除图案化网栅掩模结构(15)，得到图案化金属网栅薄膜(17)。