[发明专利]一种阻焊曝光方法有效
| 申请号： | 201710181528.7 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106707700B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 傅志伟 | 申请（专利权）人： | 上海誉刻智能装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 201612 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻焊曝光方法，属于曝光机技术领域，所述阻焊曝光方法，包括步骤(1)对样品的阻焊区域进行直写曝光，(2)对样品整个区域进行混合波长的平行光曝光，(3)将样品进行显影处理，将非阻焊区域的阻焊层显影去除；该方法避免了DMD接受多波长混合光，大大延长DMD的使用寿命，降低生产成本，对设备要求较低，利用二次平行光进行能量补偿，减少DMD个数，减少成本和设备复杂性，使阻焊层在外观上有明显的光泽度，使产品具有更好的抗氧化性和抗冲击能力，在回流焊过程中性质更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种阻焊曝光方法，所述阻焊曝光方法，包括以下步骤：(1)对样品的阻焊区域进行直写曝光；(2)对样品整个区域进行混合波长的平行光曝光；(3)将样品进行显影处理，将非阻焊区域的阻焊层显影去除；步骤(1)中所述的直写曝光的光源波长为400nm‑420nm，步骤(2)中所述平行光曝光的光源为波长 380nm‑390nm和波长为360nm‑370nm的混合光，所述直写曝光的光源和平行光曝光的混合光源能量比为80％‑95％：5％‑20％。
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