[发明专利]一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法有效
| 申请号： | 201710180416.X | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106971954B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈一仁;宋航;黎大兵;缪国庆;蒋红;李志明;孙晓娟;张志伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法，通过首先在待测的III族氮化物半导体材料上生长纳米材料，得到螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料；然后通过扫描电子显微镜对步骤1)得到的螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料中的纳米材料进行观察，得到III族氮化物半导体材料的螺位错位置和螺位错密度；该方法对待测的III族氮化物半导体材料的预处理并没有特殊要求，且检测螺位错的方法也简单，且测试结果准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体材料 螺位错 标定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体材料螺位错的标定方法，包括：1)在待测的III族氮化物半导体材料上生长纳米材料，得到螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料，所述纳米材料为纳米氧化物或纳米硫化物；2)通过扫描电子显微镜对步骤1)得到的螺位错处生长纳米材料的III族氮化物半导体材料中的纳米材料进行观察，得到III族氮化物半导体材料的螺位错位置和螺位错密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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