[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的显示装置有效
| 申请号： | 201710154049.6 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107204373B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 村井淳人;佐藤栄一;三浦正范 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本有机雷特显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，薄膜晶体管包括：氧化物半导体层(12)，其设置在绝缘基板(11)上方，并且包括位于源极区域(12a)与漏极区域(12b)之间的沟道区域(12c)；第一绝缘膜(13)，其设置在所述氧化物半导体层(12)上的与所述沟道区域(12c)相对应的区域中；栅电极(14)，其设置在所述第一绝缘膜(13)上；第一保护膜(15)，其作为包含金属的绝缘膜设置在所述氧化物半导体层(12)、所述第一绝缘膜(13)和所述栅电极(14)上；第二保护膜(16)，其设置在所述第一保护膜(15)上；以及第三保护膜(17)，其作为含有金属的绝缘膜设置在所述第二保护膜(16)上。根据实施例，可以稳定薄膜晶体管的特性，且可以提高可靠性。此外，可以促进制造工艺，从而提高产率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：氧化物半导体层，其设置在绝缘基板上方，并且包括源极区域、漏极区域和位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域；第一绝缘膜，其设置在所述氧化物半导体层上的与所述沟道区域相对应的区域中；栅电极，其设置在所述第一绝缘膜上；第一保护膜，其作为包含金属的绝缘膜设置在所述氧化物半导体层、所述第一绝缘膜和所述栅电极上；第二保护膜，其设置在所述第一保护膜上；以及第三保护膜，其作为含有金属的绝缘膜设置在所述第二保护膜上。
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