[发明专利]一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法有效
| 申请号： | 201710152423.9 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107086180B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 余林蔚;王吉米;王军转 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 32249 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 通道 薄膜晶体管 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，其特征是，步骤包括：1）采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2）在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度90-300nm的引导沟道；3）通过平面纳米线引导生长方法，使直径为50±10nm的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4）通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80-120nm厚度的金属块作为金属电极；5）利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6）通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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