[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710140199.1 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN108074920B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 范妮婉;陈胜雄;黄正仪;杨荣展;曾祥仁;卢麒友 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括第一晶体管及第二晶体管、一对第一源极/漏极区、一对第二源极/漏极区以及单元。所述第一源极/漏极区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的第一源极/漏极端子。所述第二源极/漏极区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的第二源极/漏极端子。所述单元包括第一电压轨、一对第二电压轨以及单元电路。所述第一电压轨耦接至所述第一源极/漏极区。所述第二电压轨中的每一者耦接至所述第二源极/漏极区中相应的一者且用以耦接至所述第一电压轨。所述单元电路耦接至所述第二电压轨中的一者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管中的每一者分别包括第一源极/漏极端子及第二源极/漏极端子；一对第一源极/漏极区，形成于所述衬底之上，所述一对第一源极/漏极区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的所述第一源极/漏极端子，一对第二源极/漏极区，形成于所述衬底之上，所述一对第二源极/漏极区中的每一者对应于所述第一晶体管及所述第二晶体管中相应一者的所述第二源极/漏极端子；以及单元，包括：第一电压轨，耦接至所述一对第一源极/漏极区且用以耦接至外部电源，一对第二电压轨，所述一对第二电压轨中的每一者耦接至所述一对第二源极/漏极区中相应的一者，且所述一对第二电压轨中的每一者用以耦接至所述第一电压轨并提供与所述外部电源的第一电压对应的单元电压；以及单元电路，耦接至所述一对第二电压轨中的一者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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