[发明专利]QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710127899.7 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106876566B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种QLED器件，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK |
||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED器件，其特征在于，包括第一电极、用于定义像素区域的隔离bank，设置在所述像素区域的光学层、以及覆盖所述隔离bank和所述光学层的第二电极，其中，所述隔离bank中含有高热导材料，所述高热导材料的热导率≥10WK‑1m‑1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司，未经TCL科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710127899.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：专用于紫外LED芯片的封装结构
- 下一篇：高散热二极管封装结构
