[发明专利]SRB弹性松弛的方法及结构

摘要

本发明涉及SRB弹性松弛的方法及结构，其提供首先用垂直于后续鳍片方向的切口掩膜并接着用平行于该鳍片方向的切口掩膜来形成SRB finFET鳍片的方法以及所得装置。实施例包括：在衬底上形成SiGe SRB；在该SRB上方形成Si层；在该Si层中形成NFET沟道及SiGe PFET沟道；向下穿过各别该NFET及PFET沟道以及该SRB至该衬底形成切口，该些切口形成于该衬底的相对端部上并垂直于该NFET及PFET沟道；在该SRB及该NFET与PFET沟道中形成鳍片，该些鳍片垂直于该些切口形成；在该NFET与PFET沟道之间形成切口，该切口平行于该些鳍片形成；用氧化物填充该切口；以及向下凹入该氧化物至该SRB。

主权项

一种方法，包括：在硅(Si)衬底上形成硅锗(SiGe)应变松弛缓冲层(strained relaxed buffer；SRB)；在该SiGe SRB上方形成Si层；在该Si层中彼此相邻形成n型场效应晶体管(NFET)沟道与SiGe p型FET(PFET)沟道；在该NFET及PFET沟道上方形成氮化硅(SiN)层；向下穿过该SiN层、各别该NFET及PFET沟道以及该SiGe SRB至该Si衬底形成第一及第二切口，该第一及第二切口形成于该Si衬底的相对端部上并垂直于该NFET及PFET沟道；穿过该SiN层及该NFET及PFET沟道在该SiGe SRB中形成鳍片，该些鳍片垂直于该第一及第二切口形成；在该些鳍片之间形成第一氧化物层；在该NFET与PFET沟道之间向下至该SiGe SRB中形成第三切口，该第三切口平行于该些鳍片形成，并用第二氧化物层填充该第三切口；向下凹入该第一及第二氧化物层至该SiGe SRB；以及移除该SiN层。