[发明专利]半导体结构、用于存储器元件的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体结构、用于存储器元件的半导体结构及其制作方法，该用于存储器元件的半导体结构包含有一定义有一存储单元区与一周边电路区的基底、至少一形成于该周边电路区内的主动区域、一设置于该周边电路区内的该主动区域内的埋藏式字符线结构、一设置于该埋藏式字符线结构上的信号线结构、至少一设置于该存储单元区内的位线接触插塞、以及一设置于该埋藏式字符线结构与该信号线结构之间的绝缘层。此外，绝缘层电性隔离该埋藏式字符线结构与该信号线结构。

主权项

1.一种用于半导体存储器元件的半导体结构，包含有：基底，该基底定义有一存储单元区与一周边电路区；至少一主动区域，形成于该周边电路区内；埋藏式字符线结构，设置于该周边电路区内的该主动区域内；信号线结构，设置于该埋藏式字符线结构上；至少一位线接触插塞，设置于该存储单元区内；绝缘层，设置于该埋藏式字符线结构与该信号线结构之间，电性隔离该埋藏式字符线结构与该信号线结构；以及一局部内连线结构，电连接该信号线结构与该周边电路区内的该主动区域，其中该局部内连线结构还包含：至少一第一接触插塞，设置于该信号线结构上；至少一第二接触插塞，设置于该主动区域内，且设置于该埋藏式字符线结构的一第一侧；以及至少一连线层，用以电连接该第一接触插塞与该第二接触插塞。