[发明专利]一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710101643.9 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106960906B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu28Sn33Se39纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu sn se 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu28Sn33Se39，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn46Se54靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成，所述扇形纯Cu片中扇形的面积为扇形对应圆形面积的1/16，所述复合靶材中扇形纯Cu片叠放在Sn46Se54靶中心处。
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