[发明专利]一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料，所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉，所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料是以Sn₄₆Se₅₄靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成，所述扇形纯Cu片中扇形的面积为扇形对应圆形面积的1/16，所述复合靶材中扇形纯Cu片叠放在Sn₄₆Se₅₄靶中心处。

2.根据权利要求1所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料，其特征在于：所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料厚度均为50nm，所述Sn₄₆Se₅₄靶直径为50.8mm，叠放的扇形纯Cu片的直径为50.8mm。

3.一种权利要求1所述Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：

1)清洗SiO₂/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；

2)安装好Sn₄₆Se₅₄溅射靶材和扇形纯Cu片构成的复合靶材Cu_x(Sn₄₆Se₅₄)_100-x；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压；

3)采用室温磁控溅射方法制备Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉纳米相变薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤1)清洗SiO₂/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质，其具体步骤为：

a)在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗；

b)在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，去离子水冲洗，高纯N₂吹干表面和背面；

c)在120℃烘箱内烘干水汽，20分钟。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述步骤2)安装好Sn₄₆Se₅₄溅射靶材和扇形纯Cu片构成的复合靶材Cu_x(Sn₄₆Se₅₄)_100-x；设定溅射功率，设定溅射Ar气流量及溅射气压，其具体步骤为：

a)装好Sn₄₆Se₅₄溅射靶材，将直径为50.8mm的扇形纯Cu片叠放在Sn₄₆Se₅₄靶材的中心构成复合靶材，并将本底真空抽至1×10^-4Pa；

b)设定溅射功率20W；

c)使用高纯Ar气作为溅射气体，设定Ar气流量为30sccm，并将溅射气压调节至0.4Pa。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述Sn₄₆Se₅₄溅射靶材原子百分比纯度达到99.999％，所述扇形纯Cu片的原子百分比纯度均达到99.999％；所述Ar气体积百分比纯度达到99.999％。