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[发明专利]一种固定智能货位卡及其系统-CN202011070858.7在审
发明人：楚恒钦;朱鸣;杨小飞;翟良君;邹舒 -专利权人：江苏航天恒润信息科技有限公司;江苏理工学院
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种固定智能货位卡及其系统，属于电子标签技术领域。包括货位卡本体，所述货位卡本体包括位于货位卡本体正面的触摸操控屏，所述触摸操控屏右侧顶部从左至右依次水平设置有电源指示灯、通信指示灯和蓝牙指示灯，所述所述触摸操控屏右侧还设有设备开关，所述设备开关下方竖直设置有长条状的固定磁吸条，所述固定磁吸条下方设置有扫描枪充电座，所述货位卡本体背面对称设置有两个背板挂钩，所述背板挂钩上设有一个固定螺栓，所述货位卡本体背面底部从左至右并排设置有电源供电口和有线网络接口，所述货位卡本体表面还可拆卸的连接有扫描枪。
一种固定智能货位及其系统

[实用新型]气体检测设备中的双通道腐蚀与非腐蚀气体分离检测室-CN202120444300.4有效
发明人：楚恒钦;朱鸣;杨小飞;刘波;翟良君;邹舒 -专利权人：江苏航天恒润信息科技有限公司;江苏理工学院
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种气体检测用装置，尤其是一种气体检测设备中的双通道腐蚀与非腐蚀气体分离检测室。包括两组气室内有气道，气道两端分别与左右两侧的三位两通电磁阀的气道接头进行连接，每一个气室上至少有一个内凹的传感器安放仓，每一个气道上有至少一个连通传感器安放仓的气仓，传感器安放仓内安放有传感器。通过电磁阀对接入气体进行分开引导，将具有腐蚀性的气体以及非腐蚀性的气体进行分开检测，避免了因为混检导致传感器的过度受损，通过此检测室大大提高了检测传感器的寿命并且能够很好的保证气体浓度值的准确性，为粮食储备管理提供安全可靠的数据支撑。
气体检测设备中的双通道腐蚀分离

[实用新型]可视化智能物资管理引导机器人-CN202023317806.3有效
发明人：楚恒钦;朱鸣;杨小飞;刘波;翟良君;邹舒 -专利权人：江苏航天恒润信息科技有限公司;江苏理工学院
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G05D1/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可视化智能物资管理引导机器人，它主要包括360度水平视频识别仪、控制机构、移动扫描枪、水平云台、横向行进限位器、横向行进轮、纵向限位器和纵向行进轮，控制机构与360度水平视频识别仪、移动扫描枪、触摸屏通过排线实现连接，通过wifi实现与后台服务器的连接，调取出入库库存数据和出入库相关业务，引导机器人底部设置有横向同步电机轮和纵向行进轮实现行进，同时在横向和纵向设置有横向行进和纵向行进限位器对位移幅度进行限制，移动扫描枪用于物资自动扫码，通过蓝牙标签信标指令模式等多种混合验证模式对物资进行精确识别；缩短人工入库的时间，提高入库准备率，有效提升自动化水平。
可视化智能物资管理引导机器人

[发明专利]一种纳米级稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺-CN201910256296.6有效
发明人： 翟良君;张剑豪;胡益丰;朱晨 -专利权人：江苏盛日机械设备制造有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米级稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺，采用掺杂有CeO2纳米颗粒H08MnA堆焊焊丝在竖炉齿辊表面堆焊，焊接电流为120‑140A，焊接电压为24‑30V，堆焊的层数为1‑5层。焊丝焊芯采用H08MnA，药皮经水玻璃粘结在焊芯表面，药皮成分为高碳铬铁粉、钼铁、钒铁、硼铁、萤石、钛白粉、长石、石墨、其余为CeO2纳米颗粒。添加稀土CeO2纳米颗粒，来提高竖炉齿辊耐温性能工艺及其堆焊焊丝，能显著提高齿辊的耐热性能，并且延长使用寿命。
一种纳米稀土掺杂提高竖炉齿辊耐高温性能工艺

[实用新型]粮库固定式氮气检测系统-CN202022133671.9有效
发明人：朱鸣;杨小飞;楚恒钦;翟良君;吴卫华;刘波 -专利权人：江苏航天恒润信息科技有限公司;江苏理工学院
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了粮库固定式氮气检测系统，包括仓库和PLC控制器，所述仓库的上方连接有第一电磁阀门，所述通道选通器的上方连接有气室，所述气室的左侧连接有流量计，所述接线排的上方电性连接有稳压电源，所述PLC控制器位于稳压电源的右侧。本实用新型中通过5大系统之间的相互配合，以及采用有线网络和无线通讯技术实现远程控制或者本地触摸控制的方式，实现可定时、实时安全检测仓内氮气的浓度值，并可以根据采集到的数据在控制程序上形成三维图立体呈现各点位浓度值对比，各时间段浓度值对比并形成曲线图、柱状图或表格，为库区保管人员提供有力的数据支撑及浓度值分析，能实时全面的掌握仓内氮气浓度值的变化。
粮库固定氮气检测系统

[实用新型]一种连铸辊堆焊机-CN201920302433.0有效
发明人： 翟良君;朱晨 -专利权人：江苏盛日机械设备制造有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种连铸辊堆焊机，机头座、机尾座分别设置于机座的头尾两端，堆焊移动架经机架架设于机座上，包括Z向移动架、X向移动架、Y向移动架，堆焊头连接箱座连接在Y向移动架上呈垂直上下可驱动移动状态，堆焊头连接箱座上连接焊丝驱动电机，焊丝驱动电机经堆焊头连接箱座内的齿轮传动组旋转驱动垂直方向布置的上、下焊丝驱动轮，堆焊头连接箱座上还设有保护剂储箱、焊丝导向管、上、下焊丝压紧装置，焊丝导向管对应设置在下焊丝驱动轮与下焊丝压紧装置贴合中间间隙下方穿接焊丝，焊丝导向管下端接对应连铸辊的电焊焊头，保护剂储箱下端开口朝向焊头对应连铸辊上的位置。其结构简单、焊接自动化程度高、使用方便、稳定，焊接均匀可调。
焊丝堆焊连接箱焊丝导向管连铸辊驱动电机压紧装置保护剂驱动轮储箱焊头机座垂直方向布置本实用新型齿轮传动组焊接自动化头尾两端下端开口旋转驱动移动状态中间间隙堆焊机机头座机尾座移动架穿接电焊可调贴合下端焊接架设垂直驱动

[发明专利]一种连铸辊堆焊机-CN201910179916.0在审
发明人： 翟良君;朱晨 -专利权人：江苏盛日机械设备制造有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： B23K9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种连铸辊堆焊机，机头座、机尾座分别设置于机座的头尾两端，堆焊移动架经机架架设于机座上，包括Z向移动架、X向移动架、Y向移动架，堆焊头连接箱座连接在Y向移动架上呈垂直上下可驱动移动状态，堆焊头连接箱座上连接焊丝驱动电机，焊丝驱动电机经堆焊头连接箱座内的齿轮传动组旋转驱动垂直方向布置的上、下焊丝驱动轮，堆焊头连接箱座上还设有保护剂储箱、焊丝导向管、上、下焊丝压紧装置，焊丝导向管对应设置在下焊丝驱动轮与下焊丝压紧装置贴合中间间隙下方穿接焊丝，焊丝导向管下端接对应连铸辊的电焊焊头，保护剂储箱下端开口朝向焊头对应连铸辊上的位置。其结构简单、焊接自动化程度高、使用方便、稳定，焊接均匀可调。
焊丝堆焊连接箱连铸辊焊丝导向管驱动电机压紧装置保护剂堆焊机驱动轮储箱焊头机座垂直方向布置齿轮传动组焊接自动化头尾两端下端开口旋转驱动移动状态中间间隙机头座机尾座移动架穿接电焊可调贴合下端焊接架设垂直驱动

[发明专利]一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途-CN201710101643.9有效
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料的化学组成为Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉，所述Cu‑Sn‑Se纳米相变薄膜材料是以Sn₄₆Se₅₄靶和扇形纯Cu片构成的复合靶材通过高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Cu₂₈Sn₃₃Se₃₉纳米相变薄膜材料能够应用于相变存储器，与传统的相变薄膜材料相比具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度；具有较高的晶态电阻，从而能够减少PCRAM的功耗。
一种 cu sn se 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用-CN201610851659.7有效
发明人：朱小芹;胡益丰;翟良君;陈奥;陈雅蓉;薛建忠;邹华;孙月梅;袁丽;吴卫华;张建豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括二氧化硅薄膜材料和单质锑薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加。本发明的材料的结构通式为[SiO₂(a)/Sb(b)]_x，其中：a表示单层SiO₂薄膜的厚度(nm)，并且1≤a≤9；b表示单层Sb薄膜的厚度(nm)，并且1≤b≤8；x表示单层SiO₂薄膜和单层Sb薄膜的交替周期数，并且x为任一正整数。本发明的SiO₂/Sb类超晶格纳米相变薄膜材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗，适合于制备高速、高稳定性、低功耗相变存储器，极具市场前景。
一种 sio sub sb 晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用-CN201710392719.8在审
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;袁丽;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种GeSb/SiO2多层相变薄膜材料、制备方法及应用，该薄膜材料包括GeSb薄膜和SiO2薄膜，GeSb薄膜和SiO2薄膜交替排列。本发明相较于现有技术，GeSb/SiO2多层复合相变薄膜材料为通过交替溅射沉积GeSb层和SiO2层，且在纳米量级复合而成，提高产品热稳定性，且具有较低的功耗。
一种 gesb sio2 多层相变薄膜材料制备方法应用

[发明专利]一种SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201710101641.X在审
发明人：胡益丰;朱小芹;尤海鹏;袁丽;邹华;张剑豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途，所述SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料的化学组成为(SiO2)xSb1‑x，其中0.22≤x≤0.40；采取磁控溅射的方法沉积而成，制备出的SiO2掺杂Sb纳米相变薄膜材料具有较高的晶化温度，能够有效改善PCRAM的热稳定性；具有较快的晶化速度，能够大大提高PCRAM的存储速度。
一种 sio2 掺杂 sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201610911966.X在审
发明人：胡益丰;尤海鹏;朱小芹;邹华;薛建忠;张剑豪;孙月梅;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氧的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbOx表示，其中Sb代表锑元素，O代表氮原子，x代表不同的掺氧量标记，x＝1、2、3或4；本发明采用磁控溅射方法制备，衬底采用SiO2/Si(100)基片，溅射靶材为Sb靶材，溅射气体为高纯Ar气和高纯O2气，在溅射过程中保持氩气和氧气的总流量为30sccm。本发明的掺氧的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氧原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
一种 sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201610851635.1在审
发明人：胡益丰;朱小芹;邹华;张建豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbNx，其中Sb代表锑元素，N代表氮原子，x代表不同的掺氮量标记，x＝1、2或3；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为9.6％,x＝2时掺入的氮原子百分比为15.3％；x＝3时掺入的氮原子百分比为22.5％。本发明的掺氮的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氮原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。
一种 sb 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途-CN201610852690.2在审
发明人：胡益丰;朱小芹;邹华;张建豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-09-26 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述相变薄膜材料化学组成通式为Six(Sb2Se)1‑x,其中0.05≤X<0.50；通过叠放的Si片的直径来控制Six(Sb2Se)1‑x中Si的成分比，采用室温高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Si‑Sb‑Se相变材料，不含有Te元素，属环境友好型材料；同时，Si‑Sb‑Se还具有超高的热稳定性、较低的功耗和较快的相变速度，是理想的相变存储材料，具有较好的市场应用前景。
一种 si sb se 纳米相变薄膜材料及其制备方法用途

[发明专利]一种复合相变薄膜材料及其制备方法-CN201610363525.0在审
发明人：郑龙;朱小芹;邹华;吴卫华;胡益丰;袁丽;刘波;薛建忠;张建豪;眭永兴;翟良君;裴明旭 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于相变存储器的相变速率、热稳定性优秀的复合相变薄膜材料(Ge/Ge₂Sb₂Te₅)_n及其制备方法。薄膜材料为(Ge/Ge₂Sb₂Te₅)_n，其由n组Ge/Ge₂Sb₂Te₅复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge₂Sb₂Te₅纳米薄膜；除最外层Ge₂Sb₂Te₅薄膜外，其余Ge₂Sb₂Te₅薄膜的两侧表面均处于富Ge环境，使得Ge₂Sb₂Te₅更有可能处于四面体结构而不是缺陷的八面体结构，从而有效的调控其相变特性。与现有的相变存储材料Ge₂Sb₂Te₅相比，本发明提供的Ge/Ge₂Sb₂Te₅新型复合相变薄膜能够实现更高的、可调控的结晶温度，更快的、可调控的结晶速率以及良好的热稳定性与数据保持力，同时还可以提供较高的晶态电阻。
一种复合相变薄膜材料及其制备方法

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