[发明专利]一种包含多个疏水性半导体量子点的二氧化硅纳米球的制备方法

摘要

本发明公开一种包含多个疏水性半导体量子点的二氧化硅纳米球的制备方法首先利用硅烷偶联剂对疏水性半导体量子点进行表面处理；然后利用不同种类硅烷偶联剂的相互作用使量子点相互联结并制成特定尺寸；最后通过继续加入硅烷偶联剂制备含多个量子点的二氧化硅纳米球。本发明的优点是工艺简单，操作简便，提高了量子点的利用率以及二氧化硅纳米球的产率；制备的二氧化硅纳米球包含多个疏水性量子点，发光效率高、单分散性好，在生物医学领域里具有广阔的应用前景。

主权项

一种包含多个疏水性半导体量子点的二氧化硅纳米球的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)量子点的硅烷化处理：含有量子点的甲苯溶液里加入微量的硅烷偶联剂正硅酸乙酯或3‑巯基丙基三甲氧基硅烷，搅拌3‑48小时，得到硅烷化处理的量子点溶液；2)部分水解的3‑巯基丙基三甲氧基硅烷溶液的配置：在乙醇溶液中加入适量的氨水后，加入微量的3‑巯基丙基三甲氧基硅烷，搅拌10‑24小时，获得部分水解3‑巯基丙基三甲氧基硅烷；3)包含量子点的二氧化硅纳米球的制备：向部分水解后的3‑巯基丙基三甲氧基硅烷溶液中加入硅烷化处理的量子点，混合搅拌1‑8小时形成量子点聚集体后，追加加入正硅酸乙酯及氨水，继续搅拌1‑5小时在量子点聚集体上沉积二氧化硅，最后经离心沉淀、洗涤得到含有多个疏水性量子点的二氧化硅纳米球。