[发明专利]一种变掺杂变组分AlGaAsGaAs核辐射探测器

摘要

本发明公开一种变掺杂变组分AlGaAs/GaAs核辐射探测器，该探测器结构为PIN结构，以n型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上采用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaAs N层、本征GaAs I层、变掺杂变组分p型AlGaAs P层和p型GaAs欧姆接触帽层；在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2钝化层，在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料及衬底上利用电子束蒸发技术分别形成p型和n型电极层；对形成的电极进行退火处理。本发明的优点在于使得P区和N区内部产生内建电场，驱动产生的电子、空穴分别向两端定向运动，增加收集效率，提高探测器的灵敏度以及探测效率。该探测器可用于α射线和X射线等高能射线的探测。

主权项

一种变掺杂变组分AlGaAs/GaAs核辐射探测器，其特征在于：该探测器结构为PIN结构，以n型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上采用金属有机物化学气相沉积技术顺序生长变掺杂变组分n型AlGaAs N层、本征GaAs I层、变掺杂变组分p型AlGaAs P层和p型GaAs欧姆接触帽层；而后利用等离子体增强化学气相沉积技术在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2钝化层，并在变掺杂变组分AlGaAs/GaAs材料及衬底上利用电子束蒸发技术分别形成p型和n型电极层；最后对形成的电极进行退火处理。