[发明专利]一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710089165.4 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106958008A | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王海钱;苏豪凯;温刘平;吴智升;王伯宇;王晓强 | 申请（专利权）人： | 东北大学秦皇岛分校 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙)11362 | 代理人： | 郭防;王培境 |
| 地址： | 066004 河北省秦皇岛市经*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O2作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得氧化钽薄膜。本发明提供的一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，所得TaOx薄膜具有优良的离子传输性能、低的电导率和较高的透过率。氧化钽膜层致密性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 直流 磁控溅射 法制 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种通过直流磁控溅射法制备氧化钽薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：取经过预处理的基材放入磁控溅射仪的反应室中，反应室抽真空后，充入纯度为99.95％的Ar作为工作气体和纯度为99.95％的O2作为反应气体，调节溅射工作气压，设置溅射功率，溅射Ta靶材，在基材上获得TaOx薄膜。
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