[发明专利]一种基于键合密封技术的硅振荡器在审
| 申请号： | 201710080015.7 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN106887417A | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙明 | 申请（专利权）人： | 西安赛创半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/60;H03B5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710016 陕西省西安市未央区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种基于键合密封技术的硅振荡器，包括顶层硅、结构层硅、氧化层和底层硅。振荡器结构利用结构层硅制作，顶层硅上制作有硅柱结构。制作过程中结构层硅与底层硅通过键合结合在一起，顶层硅与结构层硅也通过键合结合在一起。振荡器结构密封在键合形成的真空腔内。振荡器结构包含两个质量块，每个质量块上包含一组驱动梳齿和两组检测梳齿。驱动和检测梳齿的动齿与质量块相连，定齿与相应电极相连，电极通过硅柱连接到外部焊盘。振荡器工作时，两个质量块运动方向为同时背离结构中心或者同时朝向结构中心。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 密封 技术 振荡器 | ||
【主权项】：
一种基于键合密封技术的硅振荡器，其特征在于：包括通孔层硅、结构层硅、氧化层和底层硅，振荡器结构利用结构层硅制作，顶层硅上制作有硅柱结构，制作过程中结构层硅与底层硅通过键合结合在一起，顶层硅与结构层硅也通过键合结合在一起。
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