[发明专利]一种锡掺杂n型氧化镓制备方法

摘要

本发明属于半导体材料制备技术领域，具体提供了一种锡掺杂n型氧化镓制备方法。将适量的锡掺杂源以适当的方法预沉积在氧化镓材料上，然后将氧化镓材料以适当的形式放置在耐高温管内，而后在一定的温度下热处理一定时间，使得锡原子能可控的扩散到氧化镓材料中，并激活为有效施主，进而实现氧化镓材料的n型掺杂。本发明能够在氧化镓材料制备完成后实现掺杂，并且其所需设备和工艺过程简单，掺杂可控性高；利用本发明所提锡掺杂技术，不仅能够进行基于n型氧化镓材料的纵向器件结构制备，特别是还可以进行横向器件结构制备和多种类器件集成制造，进而研制出传统掺杂技术无法制备出的氧化镓基新型器件。

主权项

一种锡掺杂n型氧化镓制备方法，其特征在于，步骤如下：步骤1.在氧化镓材料上预沉积锡掺杂源或将锡掺杂源直接覆盖在氧化镓材料上，锡掺杂源的厚度为1nm～1mm；步骤2.安放氧化镓材料，选择如下方法中的一种：方法一，在常压条件下，将步骤1处理后的氧化镓材料置于石英舟或石英管内；方法二，将步骤1处理后的氧化镓材料封闭在石英管内，石英管内的真空度小于1×10‑3Pa；方法三，将步骤1处理后的氧化镓材料和锡掺杂源共同封闭在石英管内，石英管内的真空度小于1×10‑3Pa；步骤3.对步骤2放置好的氧化镓材料进行热处理，热处理温度为100℃～1500℃；热处理时间为1h～24h；当选择方法一放置氧化镓材料时，在高纯氮气或氩气气体保护下进行热处理；步骤4.温度降到室温后，取出锡掺杂n型氧化镓；步骤5.锡掺杂n型氧化镓的后续处理：用清洗液对锡掺杂n型氧化镓表面的残留物进行一次清洁，再用去离子水对残留物进行二次清洁；将氧化镓材料吹干，妥善保存。