[发明专利]一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法有效
| 申请号： | 201710079394.8 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN106847678B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈宏;许昕睿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法，包括：第一步骤：执行ONO结构刻蚀工艺，其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体；第二步骤：执行与所述ONO结构刻蚀工艺不同的另一半导体处理工艺；第三步骤：再次执行所述ONO结构刻蚀工艺，其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体。在执行ONO结构刻蚀工艺之后，有利地执行用于使气体分配板表面上的松弛的聚合物变得紧致的半导体处理工艺或者用于降低气体分配板和/或腔体侧壁聚合物的堆积的半导体处理工艺，从而使得气体分配板表面上的松弛的聚合物变得紧致而不易掉落，或者使得气体分配板和/或腔体侧壁聚合物的堆积减少，从而防止在后续ONO结构刻蚀中出现由于聚合物掉落在晶圆上而导致的刻蚀缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 解决 ono 结构 刻蚀 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种解决ONO结构刻蚀缺陷的方法，其特征在于包括：/n第一步骤：执行ONO结构刻蚀工艺，其中采用气体分配板分配ONO结构刻蚀气体；/n第二步骤：执行与所述ONO结构刻蚀工艺不同的另一半导体处理工艺；/n其中，所述另一半导体处理工艺用于使气体分配板表面上的聚合物变得相对更加紧致，且所述另一半导体处理工艺是其中采用气体分配板来分配CF4气体的半导体处理工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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