[发明专利]测量电容失配特性的电路结构及测量方法

摘要

本发明公开了一种测量电容失配特性的电路结构及测量方法，包含第一电容阵列及第二电容阵列、第一及第二数模转换器、比较器以及逐次逼近寄存器逻辑，还有若干开关。本发明针对小尺寸电容，第一电容阵列通过开关的开关机制产生包含电容失配信息的电压，通过逐次逼近寄存器逻辑、数模转换器、比较器以及失调补偿电容组成逐次逼近寄存器模数转换器SAR ADC，先校准比较器的输入失调电压，再将包含电容失配信息的电压量化为数字信号，从逐次逼近寄存器逻辑的输出端口输出，避免了探针直接测量电容值。

主权项

1.一种测量电容失配特性的电路结构，包含第一电容阵列及第二电容阵列、第一及第二数模转换器、比较器以及逐次逼近寄存器逻辑，还有若干开关；其特征在于：所述第一电容阵列与第二电容阵列均为多个电容并联，第一电容阵列与第二电容阵列包含的电容数量相同，且为偶数；第二电容阵列的下极板并联接地，上极板并联之后接比较器的反向输入端；第一电容阵列的上极板并联接比较器的正向输入端，第一电容阵列的电容，除最后一个电容之外，其余每个电容的下极板均对应接有一个单刀双掷开关，所有单刀双掷开关的一个端口并联接地，另一端口并联接一参考电压；第一电容阵列最后一个电容接一单刀三掷开关，单刀三掷开关的前两个端口与单刀双掷开关的接法相同，第三个端口与第二数模转换器相连；所述比较器的正向输入端与反向输入端之间还接有第一及第二开关，两开关的一端并联接一共模电压，两开关的另一端分别与正向输入端与反向输入端连接；第一数模转换器具有四个端口：第一端口通过一失调补偿电容接比较器的反向输入端，第二端口接参考电压，第三端口接地，第四端口接逐次逼近寄存器逻辑；第二数模转换器具有四个端口：第一端口接所述单刀三掷开关的第三端口，第二端口接参考电压，第三端口接地，第四端口接逐次逼近寄存器逻辑；所述比较器的输出接逐次逼近寄存器逻辑，逐次逼近寄存器逻辑输出端口输出数字信号。