[发明专利]一种熔丝结构及电子装置有效
申请号: | 201710060330.3 | 申请日: | 2017-01-24 |
公开(公告)号: | CN108346643B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 戚德奎;陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525 |
代理公司: | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人: | 高伟;冯永贞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种熔丝结构及电子装置。所述熔丝结构包括:阴极;阳极,与所述阴极间隔设置;熔丝元件,所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极;其中,所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度,且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。通过所述设置可以使所述阴极和所述阳极的厚度与所述熔丝元件的厚度的不同来实现熔丝元件的熔断,而不再在平面上通过使熔丝元件两端宽度大于所述熔丝元件中间宽度的结构实现熔丝元件的熔断,通过所述改变可以减小熔丝元件的尺寸,可以更容易的集成到高密度的IC电路中。 | ||
搜索关键词: | 熔丝元件 阴极 阳极 熔丝结构 熔断 电子装置 结构实现 阴极间隔 减小 | ||
【主权项】:
1.一种熔丝结构,其特征在于,所述熔丝结构包括:/n阴极;/n阳极,与所述阴极间隔设置;/n熔丝元件,所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极;/n接触结构,所述接触结构分别形成于所述阴极和所述阳极中,所述接触结构包括形成于所述阴极和所述阳极与所述熔丝元件在所述熔丝元件的厚度延伸的方向上重叠的部分中的结构;/n其中,所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度,且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。/n
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