[发明专利]一种可编程存储单元及电子装置有效
| 申请号： | 201710058822.9 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346659B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 廖淼;潘梓诚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L29/94 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可编程存储单元及电子装置，包括：半导体衬底，包括浮置阱区；垂直双极结型晶体管和MOS变容器，所述MOS变容器的源极和漏极均设置在形成于所述浮置阱区中，所述浮置阱区也用作所述垂直双极结型晶体管的基区内，其中，所述MOS变容器用作电压控制可变电容器，当所述垂直双极结型晶体管导通时，所述垂直双极结型晶体管用作电容可编程载流子注入器，将载流子注入到所述浮置阱区内，进而通过有载流子注入和无载流子注入使MOS变容器的电容产生高电容和低电容两种独立状态，进而实现双态电容存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可编程 存储 单元 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种可编程存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底，包括浮置阱区；垂直双极结型晶体管和MOS变容器，所述MOS变容器的源极和漏极均设置在形成于所述浮置阱区中，所述浮置阱区也用作所述垂直双极结型晶体管的基区，所述源极、所述漏极和所述浮置阱区具有相同的导电类型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
