[发明专利]制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺

摘要

本发明涉及一种制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺，属于电子元器件制备领域。其特征在于包括以下几个步骤在氮化硅粉中按比例加入烧结助剂，搅拌均匀得到粉体；在得到的粉体中按比例加入有机溶剂后，经研磨混料，制成混合均匀的浆料；所述浆料pH值为9‑10，在行星球磨机中，混磨22h后出料，将其在‑0.09Pa条件下真空搅拌除气约1h，得到固体积含量56%‑58%、流速小于30s、8h内不发生沉降的水基陶瓷料浆；将所述水基陶瓷料浆通过喷凝制成陶瓷坯带，并烘干成固体坯带，将坯带裁制成坯片；将坯片送入烧结炉内烧结、冷却后得到氮化硅陶瓷基板生坯；将所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨机中进行0.5微米的氮化硅干粉研磨和抛光。

主权项

一种制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺，其特征在于包括以下几个步骤：1）在氮化硅粉体中按比例加入烧结助剂，搅拌均匀得到粉体；2）在得到的粉体中按比例加入有机溶剂后，经研磨混料，制成混合均匀的浆料；所述浆料pH值为9‑10，在行星球磨机中，混磨22h后出料，将其在‑0.09Pa条件下真空搅拌除气，得到固体积含量56%‑58%、流速小于30s、8h内不发生沉降的水基陶瓷料浆；3）将所述水基陶瓷料浆通过喷凝制成陶瓷坯带，并烘干成固体坯带，将坯带裁制成坯片；4）将坯片送入烧结炉内烧结、冷却后得到氮化硅陶瓷基板生坯；5）研磨抛光：将所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨机中进行0.5微米的氮化硅干粉研磨和抛光；所述的氮化硅陶瓷电路基板的原料按照质量百分比计，由如下组分组成，氮化硅粉体的含量为75%‑90%，烧结助剂的含量为3%‑5%，有机溶剂的含量为7%‑20%；所述的氮化硅粉体的纯度在99%以上，平均粒径为0.4‑0.6mm；所述的烧结助剂为氮化钛；所述的有机溶剂按质量百分比计，由如下组分组成：聚乙烯10%‑15%，聚乙烯缩丁醛15%‑18％，润滑剂1%‑5%，丙烯酰胺2.5%‑10%，热塑性弹性体0‑10%，增塑剂1%‑3%，余量为悬浮剂；所述的悬浮剂以有机溶剂的总质量计算，JA‑281分散剂10%‑13%，N1N1‑亚甲基双丙烯酰胺悬浮剂1.25%‑5%，去离子水12%‑60%。