[发明专利]晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法有效
| 申请号： | 201710044657.1 | 申请日： | 2017-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN106816404B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 田振兴;王斌;张树宝;孔玲娜 | 申请（专利权）人： | 吉林麦吉柯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 郭俊霞 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的扩膜取粒方法及晶圆的生产方法，涉及半导体晶圆加工技术领域，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态，解决了晶圆生产厂家在将晶圆切割成晶粒后，剔除不合格的晶粒的过程中，不合格的晶粒与相邻的晶粒相互碰撞，导致相邻的晶粒出现崩边和划伤等现象，严重降低了晶粒的质量，影响后续工序的正常进行的技术问题，达到了通过扩膜将晶粒之间的间距增大，使得不合格的晶粒剔除过程中不会碰撞相邻的晶粒，从而为晶粒的质量提供保证，便于后续封装工艺正常进行的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 扩膜取粒 方法 生产 | ||
【主权项】：
一种晶圆的扩膜取粒方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)提供晶圆，所述晶圆被切割为多个晶粒，多个晶粒粘附于底膜上；(b)将粘附有多个晶粒的底膜进行扩膜，将不合格的晶粒取出；(c)烘烤所述底膜，使所述底膜恢复至扩膜前状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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