[发明专利]微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种微型发光二极管的中介结构的制造方法。形成微型发光二极管于生长基板上。提供传递基板并形成牺牲层于传递基板上。接着，将微型发光二极管与传递基板。去除传递基板上的至少部分牺牲层，以使微型发光二极管与传递基板之间存在间隙。未去除的牺牲层暂时将微型发光二极管固定于传递基板上。

主权项

1.一种微型发光二极管单元的中介结构的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，该半导体结构包括依序堆叠于一生长基板内表面上的多层半导体层以及一第一牺牲层，其中，该多层半导体层包括一第一型半导体层、一与该第一型半导体层极性相反的一第二型半导体层；提供一承载结构，该承载结构包括一传递基板以及覆盖该传递基板内表面上的一第二牺牲层；接合该半导体结构的该第一牺牲层与该承载结构的该第二牺牲层，其中，在该第一牺牲层与该第二牺牲层接合后，该第一牺牲层位于该多层半导体层与该第二牺牲层之间；移除该半导体结构的该生长基板；分别图案化该第一型半导体层与该第二型半导体层，以形成多个第一型半导体图案与多个第二型半导体图案；形成彼此分离的多个绝缘图案，该些绝缘图案覆盖对应的该些第二型半导体图案；形成多个第一电极以及多个第二电极，其中，该些第一电极位于对应的该些第一型半导体图案上，该些第二电极位于对应的该些第二型半导体图案上，该些第二型半导体图案、对应的该些第一型半导体图案、对应的该些第一电极以及对应的该些第二电极构成多个微型发光二极管；以及移除至少部分的该第一牺牲层、至少部分的该第二牺牲层或至少部分的该第一牺牲层与该第二牺牲层的堆叠层，以使每一该发光二极管与该传递基板之间存在一间隙，而该些微型发光二极管通过该些绝缘图案的多个连接部与该传递基板连接。