[发明专利]一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法，包括以下步骤：首先通过绘图软件设计所需的刻蚀图案，然后在清洗过后的硅表面均匀涂覆一层紫外光刻胶，经过紫外曝光，通过显影液显影将绘图软件设计出来的图案转移到覆有光刻胶的硅片上，此时通过电子束蒸发的方法在此硅片上蒸镀一层金的薄膜，基于湿法刻蚀的原理，通过调节刻蚀时间和刻蚀液体的组份进行刻蚀深度的控制，得到高度可控的高深宽比的硅微米阵列结构。本发明所述的制备方法具有成本低，加工方便，刻蚀深度大且可控等优点，在硅的中红外抗反射领域具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种硅的中红外抗反射微结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先在清洗过的、干净的硅片上滴上紫外光刻胶的液滴，然后将硅片固定在匀胶机的转台上，通过一定的速率匀胶50秒以上；(2)将匀胶过后的硅片放置在热台上进行蒸发，采取的温度是115摄氏度，加热时间为60s，这样使溶剂充分挥发得到一层均匀覆盖在硅片表面的紫外光刻胶的膜；(3)再通过无掩膜光刻机，将所绘制的微米级微结构图案进行曝光，曝光过程中要求曝光时间和显影时间进行配合，使曝光后的图案清晰完整；(4)将曝光显影后的硅片在反应离子刻蚀机器中进行残胶的去除；(5)通过电子束蒸发设备在步骤(4)所制得的硅片上蒸镀厚度为8-12nm的金；(6)将镀过金的硅片放置在配好的腐蚀液中进行刻蚀反应，该腐蚀液由氢氟酸、双氧水和水三部分组成，氢氟酸、双氧水和水的体积比为1:3:2；腐蚀液刻蚀硅片的速率为1um/分；(7)经过一定时间后将腐蚀好的硅片取出，再通过金腐蚀液去残留的金层，并在丙酮中超声去除残胶，最后通过去离子水清洗以及氮气枪吹干，即制得微结构。