[发明专利]一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法，包括步骤1、链式去硅片背面及边缘PSG；步骤2、槽式背面抛光刻蚀；步骤3、槽式RCA清洗；步骤4、槽式去PSG。本发明能够有效解决硅片EL不良的问题，大大降低电池的成品不良率。

主权项

一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法，包括：步骤1、利用滚轮将已进行制绒扩散处理的硅片向前传送，利用喷淋设备向硅片的上表面滴水形成水膜；步骤2、滚轮继续将硅片向前传送至第一HF槽，滚轮的底部浸在第一HF槽内的HF溶液中，滚轮带液转动过程中硅片的底部与滚轮上的HF溶液接触，去除所述硅片背面的PSG；步骤3、用去离子水冲洗硅片的上下表面，对硅片进行烘干处理；步骤4、利用硅片花篮将硅片放入到刻蚀槽中，硅片浸泡在刻蚀槽内的碱液中进行刻蚀；步骤5、将硅片放入第一水槽中，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；步骤6、将硅片放入清洗槽中，硅片浸泡在清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗；步骤7、将硅片放入第二水槽中，硅片浸泡在第二水槽内的去离子水中清洗；步骤8、将硅片放入第二HF槽中，硅片浸泡在第二HF槽内的HF溶液中进行酸洗去除硅片上表面的PSG；步骤9、将硅片放入第三水槽中，硅片浸泡在第三水槽内的去离子水中清洗；步骤10、将硅片放入烘干槽中干燥。