[发明专利]包括多材料填充物的改进型硅通孔

摘要

本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

主权项

1.一种装置，包括：第一衬底，其具有设置在所述第一衬底内的至少一个孔，其中，所述第一衬底包括：沟槽，其具有对大体上成梯形的横截面进行限定的侧壁，所述沟槽贯穿所述第一衬底在所述第一衬底的下表面和所述第一衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大；以及口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述第一衬底的上表面和所述沟槽的顶部开口之间延伸，其中，所述口状体和所述顶部开口共用界面，在所述沟槽沿所述沟槽的侧壁平行延伸至所述第一衬底的上表面时，所述第一衬底的上表面内的口状体开口比所述沟槽的顶部开口要大，第二衬底，其被粘合到所述第一衬底；其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上；以及填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述第一衬底之间；其中，所述沟槽限定所述第一衬底内的电路，所述第一衬底的内部部分位于所述电路内，外部部分围绕所述电路；以及其中，一个电极由粘合到所述第一衬底的第一触点形成，所述第二衬底通过所述第一衬底连接到所述第一触点，所述第一触点耦合到所述外部部分，另一电极由第二触点形成，所述第二触点耦合到所述内部部分。