[发明专利]一种提高发光二极管品质的外延生长方法

摘要

本发明公开一种提高发光二极管品质的外延生长方法，包括：处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长应力释放层、生长In_xGa_(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却得到发光二极管；本发明解决了发光层应力过大，导致发光效率不高的问题。

主权项

1.一种提高发光二极管品质的外延生长方法，其特征在于，包括：处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长应力释放层、生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长P型A1GaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却得到发光二极管；其中，生长应力释放层，进一步包括：保持反应腔压力在300‑400mbar、温度为750‑850℃的条件下，通入流量为50000‑70000sccm的NH3、100‑130L/min的N2、10‑20sccm的TMGa、500‑1000sccm的TMIn、1‑5sccm的SiH4，生长10‑50nm的SiInGaN层，其中，Si的掺杂浓度为1E17‑5E17atoms/cm3，In的掺杂浓度为1E19‑5E19atoms/cm3；保持温度750‑850℃、反应腔压力在300‑400mbar的条件下，通入流量为50000‑70000sccm的NH3、100‑130L/min的N2、1500‑2000sccm的TMIn、1‑5sccm的SiH4，生长1‑2nm的SiInN层，Si的掺杂浓度为1E17‑5E17atoms/cm3；周期性生长SiInGaN层及SiInN层，并控制周期数为10‑20个；所述生长低温缓冲层GaN为：降温至500‑600℃、保持反应腔压力为300‑600mbar、通入流量为10000‑20000sccm的NH3、50‑100sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H2，在蓝宝石衬底上生长厚度为20‑40nm的低温缓冲层GaN；升高温度到1000‑1200℃、保持反应腔压力为300‑600mbar、通入流量为30000‑40000sccm的NH3、100‑130L/min的H2、持续300‑500s将所述低温缓冲层GaN腐蚀成不规则的岛状。