[发明专利]柔性电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710020205.X | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106887407B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 谢再锋 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种柔性电子器件的制造方法。包括如下步骤：提供刚性衬底，在所述刚性衬底上依次制作形成光响应离型层、牺牲层及柔性衬底本体；在所述柔性衬底本体上依次形成的电子器件制作显示单元及封装薄膜；对所述光响应离型层一侧施加紫外光，使所述光响应离型层发生分子构型转化而产生翘曲；将已产生翘曲的所述光响应离型层从所述刚性衬底剥离，与所述刚性衬底分离的部分光响应离型层、牺牲层、柔性衬底本体、电子器件以及封装薄膜共同形成所述柔性电子器件。本发明提供的柔性电子器件的制造方法，具有剥离无损伤的特点，能提高电子器件的性能。本发明还提供一种由该制造方法制造得到的柔性电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 柔性 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种柔性电子器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供刚性衬底，在所述刚性衬底上依次制作形成光响应离型层、牺牲层及柔性衬底本体；在所述柔性衬底本体上依次形成的电子器件及封装薄膜；对所述光响应离型层一侧施加紫外光，使所述光响应离型层发生分子构型转化而产生翘曲；将已产生翘曲的所述光响应离型层从所述刚性衬底剥离，与所述刚性衬底分离的部分光响应离型层、牺牲层、柔性衬底本体、电子器件以及封装薄膜共同形成所述柔性电子器件；所述光响应离型层为对300‑400nm波段紫外光响应的光致异构体分子层；所述光响应离型层材料为偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一种。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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