[发明专利]柔性电子器件及其制造方法有效
| 申请号: | 201710020205.X | 申请日: | 2017-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN106887407B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
| 发明(设计)人: | 谢再锋 | 申请(专利权)人: | 瑞声科技(南京)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 210093 江苏省南京市鼓楼区青岛路3*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 柔性 电子器件 及其 制造 方法 | ||
本发明公开一种柔性电子器件的制造方法。包括如下步骤:提供刚性衬底,在所述刚性衬底上依次制作形成光响应离型层、牺牲层及柔性衬底本体;在所述柔性衬底本体上依次形成的电子器件制作显示单元及封装薄膜;对所述光响应离型层一侧施加紫外光,使所述光响应离型层发生分子构型转化而产生翘曲;将已产生翘曲的所述光响应离型层从所述刚性衬底剥离,与所述刚性衬底分离的部分光响应离型层、牺牲层、柔性衬底本体、电子器件以及封装薄膜共同形成所述柔性电子器件。本发明提供的柔性电子器件的制造方法,具有剥离无损伤的特点,能提高电子器件的性能。本发明还提供一种由该制造方法制造得到的柔性电子器件。
【技术领域】
本发明涉及发光二极管显示装置技术领域,具体涉及一种柔性电子器件及其制造方法。
【背景技术】
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源,已得到越来越广泛的应用,尤其在电子产品技术领域。其中,可任意弯折的柔性OLED显示技术是未来智能手机的发展技术方向,具有广阔的应用前景。三星S6Edge产品即应用了柔性OLED显示装置,可实现边缘弯折和窄边框显示,用户体验好。
柔性OLED装置的制作工艺中,以刚性衬底作为载台,并在刚性衬板上完成OLED装置的制作,从而保证柔性OLED装置制作的平整度,从而保证其产品性能。柔性OLED装置制作完成后,其附着于所述刚性衬底上,然后将柔性OLED装置与所述刚性衬板进行分离,得到柔性OLED装置。
相关技术中,所述柔性OLED装置与所述刚性衬底的分离采用308nmXeCl激光作为热源,将激光聚焦扫描到所述柔性OLED装置与所述刚性衬板的界面处,由于所述刚性衬底不吸收激光而所述柔性OLED装置的柔性衬底能够吸收激光而转化为高温,并将界面处的化学键高温分解掉,从而实现两者的分离。该分离技术能够在一定程度上实现所述OLED装置与所述刚性衬底的快速分离,同时也存在很大的技术风险,表现为:
1、所述柔性OLED装置表面损伤。采用308nm XeCl的激光镭射剥离技术,其核心的技术原理是采用紫外激光将柔性衬底与刚性衬底界面处的共价化学键通过吸收激光转化为热分解的方式进行高温分解,这种方案一定程度上对激光剥离后的柔性衬底产生了机械损伤(例如,表面灼烧),制备后的柔性OLED装置在弯曲机械测试时不合格。
2、柔性衬底阻隔性能降低。由于激光镭射后的柔性衬底已经部分发生高温化学分解,柔性衬底的厚度或表面性能受到损伤,水氧分子容易从这一侧浸透进入OLED单元,使OLED单元氧化,产品性能劣化。如果为了弥补这一缺陷,需要进一步增加柔性衬底表面的无机阻隔层,工序较为复杂。
3、异物“爆炸”。由于相关技术中的柔性衬底一般是PI聚酰亚胺,通过旋涂单体和高温固化形成的高分子薄膜,其成膜环境中经常掉入环境异物P/T,这些环境异物P/T就会残留在柔性衬底里面。当紫外镭射激光扫到这些异物P/T时,由于能量聚集产生高温,会将这些异物瞬间灰化而产生“爆炸”,导致柔性衬底上制作的电路失效。
因此,有必要提供一种新的工艺解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的是克服上述技术问题,提供一种剥离无损伤的柔性电子器件的制造方法,能提高电子器件的性能。
本发明的技术方案是:
一种柔性电子器件的制造方法,包括如下步骤:
提供刚性衬底,在所述刚性衬底上依次制作形成光响应离型层、牺牲层及柔性衬底本体;
在所述柔性衬底本体上依次形成的电子器件及封装薄膜;
对所述光响应离型层一侧施加紫外光,使所述光响应离型层发生分子构型转化而产生翘曲;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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