[发明专利]一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统有效
| 申请号： | 201710018627.3 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106898374B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王嵩 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4076 | 分类号： | G11C11/4076;G11C7/22 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710055 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统，解决在不同工艺、不同温度、不同电压下反馈电路的延迟匹配问题，从而从根本上保证基于DLL的输出数据眼图的稳定性。该电路系统利用DRAM自带的Zq校准信号与设定的熔丝配置编码通过逻辑运算生成对反馈电路的补偿控制信号，所述设定的熔丝配置编码是根据实际测试的VDD依赖曲线的斜率来决定补偿的程度。本发明可以自动补偿芯片在不同工艺、电压、温度下引起的各类失配所引起的眼图漂移问题；可以通过熔丝配置实现最优的自动补偿率；借用DRAM本身的自校准信息，附加逻辑非常简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 dram vdd 补偿 dll 反馈 电路 系统 | ||
【主权项】：
一种用于DRAM的带VDD自补偿DLL反馈电路系统，包括反馈电路，所述反馈电路的输出信号经过逻辑运算后作用于DLL延迟链；其特征在于：DRAM自带的Zq校准信号与设定的熔丝配置编码通过逻辑运算生成对反馈电路的补偿控制信号，所述设定的熔丝配置编码是根据实际测试的VDD依赖曲线的斜率来决定补偿的程度。
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