[发明专利]平坦化方法有效
| 申请号： | 201710011311.1 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108281354B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄柏诚;李昱廷;蔡傅守;林文钦;刘俊良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种平坦化方法，包含提供一基底，具有一主表面。一凸起结构，位于主表面上。形成一绝缘层，共型地覆盖主表面以及凸起结构的顶面及侧壁。形成一停止层，位于绝缘层上并且至少覆盖凸起结构的顶面。然后全面性地形成一第一介电层，并以一化学机械研磨制作工艺移除部分第一介电层直到暴露出停止层，得到一上表面。形成一预定厚度的第二介电层，覆盖上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平坦化方法，包含:提供一基底，具有一主表面；凸起结构，位于该主表面上；形成一绝缘层，共型地覆盖该主表面以及该凸起结构的顶面及侧壁；在该绝缘层上形成一停止层，至少覆盖该凸起结构的顶面；全面性地形成一第一介电层；进行一化学机械研磨制作工艺，移除部分该第一介电层直到暴露出该停止层，得到一上表面；形成一预定厚度的第二介电层，覆盖该上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
