[发明专利]高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201710011291.8 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106868593B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 夏长泰;张宏哲;王林军;赛青林;周威;齐红基;潘明艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻率低至10‑3Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。同时公开了获得高电导率氧化镓晶体的制备方法，通过在氧化镓基质里面同时掺入Sn和In元素，使用光学浮区法生长出单晶，在较低的掺杂浓度下，获得较高的载流子浓度，实现氧化镓晶体电导率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 电导率 掺杂 氧化 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种共掺杂氧化镓单晶晶体，其特征在于，通过Sn和In离子掺杂形成n型导电的晶体，化学式为Ga2‑2x‑2yIn2xSn2yO3+y，其中x＝10～30mol％，y＝0.005～1mol％。
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