[发明专利]SiC复合基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201680054539.2 | 申请日： | 2016-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN108028183B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 久保田芳宏;秋山昌次;长泽弘幸 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;CUSIC股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C23C16/42;H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 杜丽利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I |
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| 搜索关键词： | sic 复合 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.SiC复合基板，是在多晶SiC基板上具有单晶SiC层的SiC复合基板，其特征在于，上述多晶SiC基板与单晶SiC层邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面，上述单晶SiC层具有平滑的表面，而且在与多晶SiC基板的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板中的多晶SiC的结晶的最密面以单晶SiC层的表面的法线方向为基准无规地取向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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