[发明专利]用于存储器的字线相关的沟道预充电

摘要

提供了编程存储器器件的技术。通过允许位线电压到达沟道，使用预充电阶段来将未选择的NAND串的沟道增压。为了最大化沟道预充电同时也最小化编程干扰，基于所选择的字线的位置控制漏极侧虚设字线电压。当所选择的字线与漏极侧虚设字线相对远或近时，漏极侧虚设字线电压可以分别相对高或低。当漏极侧虚设字线电压相对高时，位线电压可以容易地穿过并增压沟道。当漏极侧虚设字线电压相对低时，由于较小的沟道梯度和对应的降低量的热载流子，漏极侧数据字线的编程干扰降低。

主权项

1.一种存储器器件，包括：多个NAND串(NS1、NS2、NS0_SBa、NS0_SBb、NS0_SBc、NS0_SBd)，所述多个NAND串包括所选择的NAND串和未选择的NAND串，其中：所述所选择的NAND串包括多个存储器单元(300、333、……、334和335；400、433、……、434和435)，所述多个存储器单元包含所选择的存储器单元(921)和未选择的存储器单元；所述未选择的NAND串包括多个存储器单元，所述多个存储器单元包含对应于所述所选择的存储器单元(921)的未选择的存储器单元(961)和其余的未选择的存储器单元；所述多个NAND串中的每个NAND串包括相应的沟道(406、665)、漏极侧选择栅极晶体管(680、681、817、818、837、838、857、858、877、878、901、941、902、942)，以及第一虚设存储器单元(815、835、855、875、904、944)；所述第一虚设存储器单元在所述漏极侧选择栅极晶体管与所述多个存储器单元中的漏极端存储器单元(814、834、854、874、905、945)之间；所述多个NAND串中的每个NAND串连接到多个位线(BL0、BL0A、BL0A-1)中的相应的位线；所述所选择的存储器单元和对应于所述所选择的存储器单元的所述未选择的存储器单元连接到多个字线(WL0-WL22)之中的所选择的字线；并且所述所选择的NAND串的未选择的存储器单元和所述未选择的NAND串的其余的未选择的存储器单元连接到所述多个字线之中的未选择的字线；以及控制电路(110、112、114、116、122、128、132)，对于所述未选择的NAND串，所述控制电路配置为在编程操作中将编程电压施加到所选择的字线之前进行预充电操作，其中为了进行所述预充电操作，所述控制电路配置为同时地将正预充电电压施加到所述未选择的NAND串的相应的位线并将电压施加到所述第一虚设存储器单元，其中施加到所述第一虚设存储器单元的电压的电平(WLd1)是所选择的字线与所述第一虚设存储器单元之间的距离的函数，使得当所述距离更大时，所述电平更高。