[实用新型]失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源有效

专利信息
申请号: 201621102919.2 申请日: 2016-10-08
公开(公告)号: CN206116411U 公开(公告)日: 2017-04-19
发明(设计)人: 毛陆虹;赵帆;郭维廉;谢生;张世林 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L29/88 分类号: H01L29/88;H01L21/329;H01L23/64;H01Q13/10;H01Q1/22
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 代理人: 杜文茹
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源,包括设置在主衬底上的左电极和右电极,右电极的左侧边嵌入在形成于左电极右侧下部的凹边内,且在左电极和右电极两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层,从而在主衬底、二氧化硅层、左电极和右电极之间形成有相连通的空气腔,左电极的右侧边中部形成有向右电极凸出的凸块,左电极位于凸块的两侧对称的形成有凹槽,其中,两个凹槽的下面为构成空气腔底面的主衬底,凸块的底面与所对应的主衬底的上端面之间设置有共振隧穿型二极管,共振隧穿型二极管为刀结构,刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极左侧下部的凹边内。本实用新型可以通过改变RTD在振荡器中的位置,来实现振荡器在不同频段的振荡。
搜索关键词: 失调 馈送 缝隙 天线 rto 赫兹 波源
【主权项】:
一种失调馈送缝隙天线RTO太赫兹波源,包括主衬底(5),设置在所述主衬底(5)上的左电极(1)和右电极(2),其特征在于,所述右电极(2)的左侧边嵌入在形成于左电极(1)右侧下部的凹边内,且在左电极(1)和右电极(2)两端的上下相对的端面之间对称的各设置有二氧化硅层(6),从而在所述主衬底(5)、二氧化硅层(6)、左电极(1)和右电极(2)之间形成有相连通的空气腔(4),所述左电极(1)的右侧边中部形成有向右电极(2)凸出的凸块(11),左电极(1)位于凸块(11)的两侧对称的形成有凹槽(12),其中,两个所述的凹槽(12)的下面为构成空气腔(4)底面的主衬底(5),所述凸块(11)的底面与所对应的主衬底(5)的上端面之间设置有共振隧穿型二极管(3),所述共振隧穿型二极管(3)为刀结构,所述刀结构的刀把部分横插入到形成在右电极(2)左侧下部的凹边内。
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