[实用新型]超结结构有效
| 申请号： | 201620616145.9 | 申请日： | 2016-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN205789874U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/225 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种超结结构，利用多层外延生长技术，通过降低外延掺杂浓度，而主要通杂质注入方式控制超结结构的电荷平衡。本实用新型通过简单的工艺步骤实现了超结结构，大大降低了工艺难度，同时保证器件很好的特性；本实用新型利用多层外延生长技术，通过降低外延掺杂浓度，并通杂质注入方式可轻易控制超结结构的电荷平衡，提高击穿电压，同时分段还可以局部改变电荷量，为设计者提供更多优化器件特性的方法。本实用新型大大降低了超结结构工艺对外延生长工艺的要求，可实现更大的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【主权项】：
一种超结结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，形成于所述第一导电类型衬底表面，且由多个第一外延层堆叠而成；第二导电类型柱，由间隔形成于各第一外延层中的多个第二导电类型单元连贯而成，各第二导电类型柱之间间隔出第一导电类型柱，形成超结结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中航（重庆）微电子有限公司，未经中航（重庆）微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620616145.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一体化氙气灯
- 下一篇：一种芯片返修批量植球装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
