[实用新型]垂直型发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620527927.5 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN205790049U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吴超瑜;吴俊毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种垂直型发光二极管芯片，其从下至上依次包括：第一电极、导电基板、第一介电层、欧姆接触半导体层、第一覆盖层、发光层、第二覆盖层、第二电极，所述欧姆接触半导体层远离所述导电基板的上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区，所述欧姆接触区位于所述欧姆接触半导体层的边缘区域，所述第一覆盖层、发光层、第二覆盖层形成于所述非欧姆接触区，一欧姆接触金属层，形成于所述欧姆接触半导体层的欧姆接触区，并通过一导电连接层从所述芯片的侧壁连接与所述导电基板。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
垂直型发光二极管芯片，从下至上依次包括：导电基板，具有相对的上表面和下表面；第一介电层，形成于所述导电基板的上表面之上；欧姆接触半导体层，形成于所述介电层之上，其远离所述导电基板的上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区，所述欧姆接触区位于所述欧姆接触半导体层的边缘区域；第一覆盖层，形成于所述欧姆半导体层的非欧姆接触区之上；发光层，形成于第一型覆盖层之上；第二覆盖层，形成于所述发光层之上；欧姆接触金属层，形成于所述欧姆接触半导体层的欧姆接触区；导电连接层，位于所述欧姆接触半导体层、第一介电层的侧壁，连接所述欧姆接触金属层与导电基板，从而构成一垂直型发光二极管。
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