[实用新型]磁控溅射镀膜仪有效

专利信息
申请号: 201620521608.3 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN205821445U 公开(公告)日: 2016-12-21
发明(设计)人: 邾根祥;方辉;江晓平;朱沫浥;王卫 申请(专利权)人: 合肥科晶材料技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)34126 代理人: 宣圣义
地址: 230031 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型涉及磁控溅射镀膜仪,包括机架、真空室,真空室包括上盖部件、下盖部件、连接在上盖部件与下盖部件之间的石英玻璃罩,真空室内顶部设置有磁控靶头、真空室外顶部设置有与磁控靶头连接的高压连接器,机架上固定有用于控制高压连接器的PLC控制器,机架上设置有通过进气管与真空室相连通的进气口,机架上还设置有与真空室相连通的出气口,机架内设置有磁控电源,磁控靶头密封螺纹连接地固定在上盖部件底面上,真空室内底部对应磁控靶头下方的位置处固定有调节高度的溅射靶台。本实用新型提供的镀膜仪,降低仪器整体占用空间,真空室内的气密性好,溅射靶台设计成可调节使用高度的形式,提高了适用性和灵活性。
搜索关键词: 磁控溅射 镀膜
【主权项】:
磁控溅射镀膜仪,包括机架、固定在机架上的真空室,所述真空室包括上盖部件、下盖部件、连接在上盖部件与下盖部件之间的石英玻璃罩,所述真空室内顶部设置有磁控靶头、真空室外顶部设置有与磁控靶头连接的高压连接器,所述机架上固定有用于控制高压连接器的PLC控制器,所述机架上设置有通过进气管与真空室相连通的进气口,所述机架上还设置有与真空室相连通的出气口,其特征在于:所述机架内设置有磁控电源,所述磁控靶头密封螺纹连接地固定在上盖部件底面上,所述真空室内底部对应磁控靶头下方的位置处固定有调节高度的溅射靶台。
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