[实用新型]一种氮化镓系发光二极管结构有效
| 申请号： | 201620471015.0 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN205752220U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 张自锋;余建立 | 申请（专利权）人： | 巢湖学院 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/64 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 金凯 |
| 地址： | 238000*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化镓系发光二极管结构，包括管壳，连接于管壳底端的陶瓷管座，设置于管壳内的晶片和两根引线；两根引线的上部穿过陶瓷管座伸入到管壳内且两根引线的顶端与均与晶片电连接；晶片包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、氮化镓活性发光层、低温p型氮化镓层、高温p型氮化镓接触层和电子阻挡层。本实用新型采用电子阻挡层加强对载流子的限制，与低温p型氮化镓层配合，可减少p型掺杂剂向活性区的扩散，采用碳化硅衬底作为基板，提高了导热性能，有利于满足大功率电流的需要，提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于：包括管壳(1)，连接于管壳(1)底端的陶瓷管座(2)，设置于管壳(1)内的晶片(4)和两根引线(3)；两根引线(3)的上部穿过陶瓷管座(2)伸入到管壳(1)内且两根引线(3)的顶端与均与晶片(4)电连接；所述的晶片(4)包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底(5)、氮化镓缓冲层(6)、n型氮化镓接触层(7)、氮化镓活性发光层(8)、低温p型氮化镓层(9)、高温p型氮化镓接触层(10)和电子阻挡层(11)。
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