[实用新型]一种硅片表面气体钝化处理的处理后气体破除器有效
申请号: | 201620467550.9 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN205621758U | 公开(公告)日: | 2016-10-05 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 许益民 |
地址: | 215002 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提出一种硅片表面气体钝化处理的处理后气体破除器包括进气口、反应腔、出气口以及底部支架,所述进气口与硅片喷淋组件下方的抽风装置的出气口连接,所述出气口与抽风机连接,所述进气口与反应腔、反应腔与出气口之间采用法兰连接,所述反应腔的上部与进气口之间设有滤网,所述反应腔的下部与出气口之间也设有滤网。本实用新型的破除器采用法兰连接,便于拆卸维护;通过滤网设置避免杂质进入反应腔以及避免反应腔内的金属氧化物漏出,提高臭氧分解的效率和破除器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 表面 气体 钝化 处理 破除 | ||
【主权项】:
一种硅片表面气体钝化处理的处理后气体破除器,其特征在于,所述破除器包括进气口、反应腔、出气口以及底部支架,所述进气口与硅片喷淋组件下方的抽风装置的出气口连接,所述出气口与抽风机连接,所述进气口与反应腔、反应腔与出气口之间采用法兰连接,所述反应腔的上部与进气口之间设有滤网,所述反应腔的下部与出气口之间也设有滤网。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中世太新能源科技有限公司,未经苏州中世太新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620467550.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件
- 下一篇:一种太阳能电池片贴膜装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的