[实用新型]Si基Ge混合型波导光电探测器有效
| 申请号： | 201620411546.0 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN205723580U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 阮育娇;康品春;郑伟峰;陈松岩;刘翰辉;李成 | 申请（专利权）人： | 厦门市计量检定测试院;厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0232;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 朱凌 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导，以减少光纤和波导的耦合损耗，入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件，又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge，以提高耦合效率，锗探测器采用PIN结构，在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂，以形成一个垂直的P‑I‑N结。 | ||
| 搜索关键词： | si ge 混合 波导 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；其特征在于：所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
